SunSirs: Silicon Carbide 의 고속 성장: 전력 침투 부스트 및 AI + AR 듀얼 드라이브가 앞서 있음

민메탈증권 (Minmetals Securities) 은 최근 전자공학 산업에 대한 심층적 분석을 발표했다: 신에너지 분야에서 실리콘 카바이드 (SiC) 는 효율적인 에너지 절약을 달성하는 핵심 장치입니다.우리는 2030 년까지 "신에너지 차량 + 충전 스택 + 태양광 및 저장" 부문에서 SiC 기판 (6 인치 등급, 달리 명시되지 않는 한) 에 대한 글로벌 수요가 약 57. 7 백만 조각으로 ~ 36. 7 % 의 CAGR 이 될 것으로 예상합니다.신에너지 차량 부문에서는 800 V 고전압 플랫폼이 점차 인기를 얻고 있으며 2025 년까지 11. 17% 의 보급률을 기록하고 있다. SiC MOSFET 은 메인 드라이브 인버터 및 DC - DC 컨버터와 같은 핵심 구성 요소에 적용되어 전체 차량의 에너지 소비를 8 - 10% 줄일 수 있습니다.

다음은 연구 논문의 요약입니다. The following is an abstract of the research paper:

실리콘 카바이드 (SiC) 는 기술 업그레이드 및 효율 혁명을 주도하는 핵심 지원이되었습니다.제 3 세대 와이드밴드 gap 반도체의 핵심 재료로서, 그것은 큰 대역 gap, 고분해 전기장, 우수한 열 전도성 및 빠른 전자 포화 드리프트를 특징으로합니다.새로운 에너지, AI, 통신 및 AR 의 4 가지 고성장 산업에 완전히 침투하고 있습니다.그것의 응용 시나리오는 전력 장치에서 열 방출 재료, 광학 기판 및 기타 분야에 이르기까지 확장되며 수요가 폭발적으로 증가합니다.그 산업은 급속한 발전시기에 접어들려고 한다.

새로운 에너지 분야에서 SiC 는 효율적인 에너지 절약을 달성하기위한 핵심 장치입니다.우리는 2030 년까지 SiC 기판 (6 인치 등급, 달리 명시되지 않는 한) 에 대한 글로벌 수요는 "신에너지 차량 + 충전 스택 + 태양광 저장" 에 약 577 만 개, CAGR ~ 36. 7 % 가 될 것으로 예상합니다.신에너지 차량 분야에서 800 V 고전압 플랫폼이 점차적으로 보급되고 있으며, 2025 년까지 보급률은 11. 17% 에 도달했다. SiC MOSFET 은 주 드라이브 인버터 및 DC - DC 컨버터와 같은 핵심 구성 요소에 적용되어 전체 차량의 에너지 소비를 8 - 10% 줄일 수 있습니다.우리의 계산에 따르면 신에너지 차량 분야의 SiC 기판에 대한 세계 수요는 2030 년에 432 만 조각에 도달 할 것이며 중국은 328 만 조각을 필요로합니다.고전압 DC 충전기둥의 경우, 정책 추진에 따라 2027 년까지 100 만 개의 고전력 충전기둥의 건설이 완료될 예정이며, 고전압 저항 특성을 가진 SiC 는 표준을 충족시키는 열쇠가 되었다. SiC 기판에 대한 세계 수요는 2030 년에 510, 000 조각이 될 것이며 중국은 290, 000 조각을 필요로합니다.광전지 및 저장 분야에서 SiC 는 광전지 인버터 및 에너지 저장 컨버터의 효율을 향상시킬 것입니다. SiC 기판에 대한 세계 수요는 2030 년에 940 만 조각이 될 것이며 중국은 300 만 조각을 필요로 할 것입니다.

AI 산업에서 SiC 는 "전력 + 열 방출" 이중 성장 기회에 직면하고 있습니다.데이터 센터의 경우, 컴퓨팅 성능의 향상으로 캐비닛의 전력 밀도가 급증하고 있습니다. SiC 는 UPS, HVDC, SST 및 기타 전력 장비에 적용됩니다. 2030 년까지 전 세계 전력 산업은 730 만 개의 기판에 대한 수요를 가질 것이며 중국은 200 만 개의 기판에 대한 수요를 가질 것입니다.동시에, SiC 는 GPU 의 높은 열 발생 문제를 해결하기 위해 첨단 포장 열 방출 재료로 사용됩니다. 2030 년까지 AI 칩의 중간층을위한 기판에 대한 세계 수요는 약 6200 만 개이며 중국의 수요는 1730 만 개입니다; SiC 가 CoWoS 공정의 기존 기술 경로에서 기판 및 히트싱크 재료로 사용되는 경우 AI 칩 열 방출 분야의 기판 공간은 2 배 증가 할 것입니다.

통신 무선 주파수 분야에서 5 G - A 및 6 G 는 무선 주파수 장치의 업그레이드를 촉진했으며 GaN - on - SiC 체계는 우수한 열 방출 및 고주파 성능으로 주류가되었습니다. 2030 년 무선 주파수용 반절연 SiC 기판에 대한 세계 수요는 170, 000 개에 도달할 것이며, 중국은 약 100, 000 개의 60 % 를 차지할 것이다.

2030 년 전 세계 AR 안경 기판 수요는 389 만 개이며 중국의 수요는 137 만 개입니다. AR 산업에서 SiC 의 높은 굴절률 특성은 시야를 넓히고 무지개 패턴 문제를 해결할 수있는 광파 가이드 플레이트의 이상적인 기판을 만듭니다.

제목, AR 안경의 소형화 및 전체 컬러화를 촉진합니다.

수요 측면의 포괄적 인 발병은 산업 규모의 급속한 확장을 촉진했으며, SiC 기판의 공급과 수요가 2027 년에 긴밀한 균형을 이루고 있으며, 용량 공급이 빡빡할 가능성이 있습니다. 2030 년까지, 기판에 대한 글로벌 수요는 1 억 6760 만 조각에 도달 할 것이며, 2025 년의 공급과 비교하면 약 1 억 2 천만 조각의 용량 격차가있을 것입니다.그 중 AI 중간층, 신에너지 차량, AR 안경은 3 가지 핵심 성장점이며 2030 년 수요 비율은 37%, 26%, 23% 가 될 것으로 예상합니다. 그 중 SiC 는 AI 칩에 첨단 포장 방열 소재의 응용에서 "기판층 ", " 중간층 " 및 " 히트싱크" 의 세 가지 링크에서 산업화를 달성 할 수 있다면, 2030 E 에서 SiC 기판에 대한 세계 수요는 약 3 억 조각에 도달 할 것으로 예상됩니다.

위험 경고:

1.중미 무역마찰의 심화와 공급망 제약의 추가 위험; 2.예상대로의 수요가 감소하지 않습니다; 3.제품 연구 개발, 기술 반복 및 시장 진전은 예상대로, 고급 포장을위한 열 방출 재료로서 SiC, 즉 중간, 기판 및 히트싱크의 세 가지 측면은 여전히 연구 개발 단계에 있으며 기술 경로는 아직 완전히 결정되지 않았으며 높은 위험; 4.산업 경쟁의 심화.

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